電子材料

フォトレジスト用レヂトップ

製品概要

長年の材料設計技術をベースに新しいニーズに合う新技術を開発し、電子機器の高機能化を支え続けます。

1980年、日本で初めて半導体フォトレジスト用ノボラックの製品化に成功しました。以来、g線から最先端レジスト材料まで、世界で唯一、一貫した開発と生産技術を磨き続けています。
フォトレジストは、半導体やテレビ、スマートフォンなど、電子機器の製造に欠かせない材料です。群栄化学の材料は、そのフォトレジストにおける重要な構成要素として、最先端の技術を支えています。

特長

自在な分子量-ADR(Alkali Dissolution Rate)の設計

モノマー組成比制御・最適な反応設計により、分子量とADRを自由にコントロールできます。

 

自在な分子量分布のコントロール

分子量分布のコントロールで常用される分画による樹脂製造をすることができます。
また更に合成方法でも分子量分布を変化させることが可能です。
ノボラックでも分子量分布(PD)2.0程度までコントロールすることが可能です。

生産プロセスと分析ツールに裏付けられた安定製造

電子材料用ノボラック樹脂の製造ロット間の違いから発生する顧客要求の特性に与える影響は、一般的なNMRやGPCによる分析手法で確認することは困難です。
そこで群栄化学は、独自の樹脂分析及び解析手法を確立し、その解析結果を製造プロセスにフィードバックすることで安定した樹脂特性を得る生産技術を確立しています。

ppbレベルの金属不純物管理

徹底した原料管理から製造時の接液部材などのコンタミ管理及び金属除去技術を駆使し、Na、Fe、Cr、Niなどの金属不純物の数百ppb~数ppbまでの製品規格化を目指しています。 また半導体業界で必要とされる24元素の金属種管理に挑戦しています。

ノボラック、PHS、アクリルポリマーなど多彩な材料のカスタマイズ設計

多種多様な要求に材料設計で技術が応えるのみならず、製造、販売、品管も顧客満足度を向上させるべくレスポンス良くカスタマイズに応えております。
また群栄化学の生産技術を活用して頂ける様、OEMも積極的に取り組みを検討致します。

ラインナップ

g-線フォトレジスト i-線フォトレジスト KrFフォトレジスト
ArFフォトレジスト LCDフォトレジスト TFTアレイフォトレジスト
OLEDフォトレジスト 永久保護膜

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